iPhone 14有望采用打孔屏：QLC闪存 最高2TB

iPhone 14有望采用打孔屏：QLC闪存 最高2TB坚韧不拔与坚忍不拔 在沿用了多年的设计之下，相信苹果今年大概率也会对iPhone 14的外形进行调整，比如完全抹除刘海区域。 根据爆料，iPhone 14系列将会彻底抹除刘海区域，改成了打孔屏设计，屏占比达到

坚韧不拔与坚忍不拔

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在沿用了多年的设计之下，相信苹果今年大概率也会对iPhone 14的外形进行调整，比如完全抹除刘海区域。

根据爆料，iPhone 14系列将会彻底抹除刘海区域，改成了打孔屏设计，屏占比达到史上最高。

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不过，由于Face ID组件依然是最高优先级，为了保证更安全更完整的使用效果，iPhone 14可能会采用类似“药丸形”的长条形开孔，用来安放Face ID组件。

除了有望完全抹除刘海区域之外，iPhone 14系列的硬件也会进行升级，最高配备2TB容量，而且是QLC闪存。

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TLC闪存内部结构是存储3bit数据，而QLC闪存存储是4bit数据，储存密度相比TLC提升了33%，因此升级QLC闪存能够得到明显的容量提升。

而对于升级QLC闪存的担心，QLC闪存的性能、可靠性不如TLC闪存，但考虑到QLC闪存拥有成本和容量上的明显优势，未来这类闪存必然会成为市场主流。

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